三星公布路线图：2027年DDR6将突破10GBPS

据 computerbase 称，三星在 2022 年三星代工论坛活动上介绍了其内存路线图。如下图所示，三星将在即将到来的2023年进入1bnm工艺阶段。此外，存储芯片容量将达到24Gb(3GB)-32Gb(4GB)。此外，本机速度将为 6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代GDDR7显存将于明年问世。因此，新一代 AMD 和 Nvidia 显卡的中期改款可能会使用 GDDR7 显存。

此外，三星还提出了一些长远的设想。该公司计划在 2026 年推出DDR6 内存，并在 2027 年实现原生 10Gbps 速度。三星还公布了其闪存路线图，预计 2024 年推出 V9 NAND 芯片。

三星在之前的 2022 年技术日活动中指出，其第九代 V-NAND 正在开发中。根据公司的时间表，这款芯片将于 2024 年进入量产阶段。到 2030 年，公司设想堆叠超过 1000 层 NAND，以更好地支持未来的数据密集型技术。它还宣布，全球最高容量的 1Tb TLC V-NAND 将于今年年底向客户提供。

三星在 40 多年内生产了 1 万亿 GB 的内存

在 2022 年三星技术日活动上，三星电子总裁兼内存业务负责人 Jung-bae Lee 表示，该公司在 40 多年中总共生产了 1 万亿 GB 的内存。有趣的是，1 万亿 GB 中约有一半是在过去三年中产生的。

三星声称其在 DRAM 和 NAND 领域的领先地位分别为 30 年和 20 年。目前，三星正在开发第五代 10nm 级 (1b) DRAM。它还在开发第八代和第九代垂直 NAND (V-NAND)。该公司承诺在未来十年继续提供最强大的内存技术组合。