到2030年栅极驱动器IC市场将以5%的复合年增长率增长18.8亿美元

全球栅极驱动器IC 市场 按晶体管类型(MOSFET 和 IGBT)、半导体材料(Si、SiC 和 GaN)、连接模式(晶体管上和分立式)细分)、隔离技术(磁隔离、电容隔离和光隔离)和应用(住宅、工业和商业)：全球机会分析和行业预测，2020 - 2030 年。它发表在电子元件类别下的评估报告中。

2020 年全球栅极驱动器 IC 市场 价值12 亿美元，预计到 2030 年将达到18.8 亿美元，2021 年至 2030 年的复合年增长率为 5%

推动栅极驱动器 IC 市场增长的主要因素：

智能家居和智能电网技术的采用正在上升，对高压设备的需求也在上升，这是影响全球栅极驱动器 IC 市场的两个关键方面。此外，栅极驱动器 IC 的复杂设计对市场也有影响。

此外，市场增长在一定程度上受到汽车快速电气化和不同可再生能源系统中功率晶体管激增的影响。在预计期间，预计这些变量中的每一个都会对全球栅极驱动器 IC 市场产生重大影响。