美光削减 DRAM 和 NAND 产量以减少价格下跌

由于对商品存储器的需求迅速恶化和价格下降，美光立即将3D NAND 和 DRAM 的晶圆启动量与上一季度相比减少了 20%。该公司现在预计其 3D NAND 比特产量在下一个日历年将微不足道地增长，而其 DRAM 比特产量将在 2023 年减少。

为了应对 3D NAND 和 DRAM 内存需求放缓的问题，与截至 2022 年 9 月 1 日的 2022 财年第四季度相比，美光将晶圆开工量减少约 20%。削减将涵盖所有技术节点美光用于大批量生产，因此基本上该公司正在削减几乎所有类型产品的产量。

美光正在进行的 2023 财年第一季度将于 12 月初结束，因此今天减少晶圆开工量几乎不会对公司本季度或市场的业绩产生重大影响。由于 3D NAND 和 DRAM 的生产和测试/封装周期都相当长，市场将在几周内感受到美光减产的影响。与此同时，现货价格可能会更快地对美光的公告做出反应。

但目前的晶圆开工削减将对公司整个 2023 财年的产出产生影响，因为美光预计其 DRAM 比特产量将下降，而其 3D NAND 比特产量将在“个位数百分比范围内”增长。

美光今年夏天开始生产232 层 3D NAND 存储器，并于今天早些时候开始在其 1β (1-beta) 制造工艺上制造 LPDDR5X 存储器。这两个新的生产节点将使美光能够降低成本并增加比特产量，但该公司在 9 月下旬警告说，它将减缓 232L 3D NAND 和 1β DRAM 产量的增长，以限制比特产量。Micron 的 232 层 3D NAND 设备具有 2,400 MT/s 的接口，旨在支持具有 PCIe 5.0 x4 接口的最快的 SSD，其顺序读取速度将超过目前可用的最佳 SSD，顺序读取速度为 12.4 GB/s。